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應用材料技術突破 加速AI晶片效能



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全球最大半導體設備廠應用材料昨(6)日宣布在材料工程上獲得技術突破,能在大數據與人工智慧(AI)時代加速晶片效能。應用材料表示,20年來首樁電晶體接點與導線的重大金屬變革,能解除7奈米及以下晶圓製程主要的效能瓶頸,晶片設計者能以鈷金屬取代鎢與銅,藉以增進15%的晶片效能。

過去傳統摩爾定律只要微縮一小部分易於整合的材料,同時就能改善晶片的效能/功率/面積/成本(PPAC)。如今,一些如鎢與銅金屬的材料在10奈米以下的製程再無法順利微縮,因其電性在電晶體接點與局部中段金屬導線製程上已逼近物理極限,這就成為鰭式電晶體無法發揮完全效能的一大瓶頸。

應用材料表示,鈷金屬正可以消除這項瓶頸,不過也需要在製程系統的策略上進行變革。

運用鈷做為新的導電材料,使用於電晶體接點與銅導線上,應用材料已結合許多的材料工程步驟,包括預先清洗、物理氣相沉積、原子層沉積、化學氣相沉積等於Endura平台上。再者,應用材料也界定出一套整合性的鈷組合,包括Producer平台上的退火,Reflexion LK Prime CMP 平台上的平坦化,以及PROVision平台上的電子束檢測。客戶能運用這項經驗證過的整合材料解決方案,在7奈米及以下的製程時,加速產品上市時間,同時增加晶片效能。

(工商時報)